Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Maker |
Quantidade de ordem mínima: | 2 pcs |
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Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | Caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 days |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Porto de expedição: | Guangzhou, Shanghai | Customizável: | Positivo |
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Outros modelos: | Skoda, CME, Sasib | Diâmetro do cigarro: | 5.4mm - 8.0mm |
Modelos de máquina: | Protos, passim, MK8, MK9, | Transporte do mar: | Com ordens maiores somente |
Realçar: | Transistor das peças sobresselentes da máquina do cigarro,Transistor da máquina do cigarro de Protos,Transistor dos componentes da máquina do cigarro de Protos |
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Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
Mecanismo
Uma tensão ou uma corrente aplicaram-se a um par dos terminais do transistor controlam a corrente com uns outros pares de terminais. Porque o poder controlado (da saída) pode ser mais alto do que o poder de controlo (da entrada), um transistor pode amplificar um sinal. Hoje, alguns transistor são empacotados individualmente, mas muito mais são encontradas encaixados nos circuitos integrados.
Queda de tensão
A imagem representa um transistor bipolar típico em um circuito. Uma carga fluirá entre o emissor e os terminais de coletor segundo a corrente na base. Porque internamente as conexões da base e do emissor se comportam como um diodo de semicondutor, uma queda de tensão torna-se entre a base e o emissor quando a corrente baixa existir. A quantidade desta tensão depende do material que o transistor é feito de e é referida como VBE.
CMOS
O CMOS (MOS complementar) foi inventado por Chih-Tang Sah e por Frank Wanlass no semicondutor de Fairchild em 1963. O primeiro relatório de um MOSFET da flutuar-porta foi feito por Dawon Kahng e por Simon Sze em 1967. Um MOSFET da dobro-porta foi demonstrado primeiramente em 1984 por pesquisadores eletrotécnicos Toshihiro Sekigawa e Yutaka Hayashi do laboratório
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