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Detalhes dos produtos

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Passim peças sobresselentes da máquina do cigarro
Created with Pixso. Peças sobresselentes eletrônicas Nano da máquina do cigarro de Kretek Irfz44nl passim

Peças sobresselentes eletrônicas Nano da máquina do cigarro de Kretek Irfz44nl passim

Nome da marca: Upperbond
Número do modelo: Maker
MOQ: 2 pcs
preço: Negociável
Tempo de entrega: 5-8 days
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informações pormenorizadas
Place of Origin:
China
Certificação:
CE, ISO
Transporte do mar:
Com ordens maiores somente
Amostra:
Somente quando carregado
Cor:
Cinza/prata
Customizável:
Positivo
Outros modelos:
Skoda, CME, Sasib
Port of Shipment:
Guangzhou, Shanghai
Packaging Details:
Carton
Supply Ability:
10000 pcs/month
Destacar:

Transistor das peças de substituição da máquina do cigarro

,

Passim máquina Irfz44nl do cigarro

,

Passim peças de substituição da máquina do cigarro

Descrição do produto

Peças sobresselentes eletrônicas Nano da máquina do cigarro de Kretek Irfz44nl passim

Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

Vantagens

Custo, a flexibilidade, e a confiança do transistor o baixo fizeram-lhe um dispositivo ubíquo. Os circuitos mechatronic transistorizados substituíram dispositivos eletromecânicos em dispositivos e na maquinaria de controlo. É frequentemente mais fácil e mais barato usar um microcontrolador padrão e escrever um programa informático para realizar uma função de controle do que para projetar um sistema mecânico equivalente controlar que a mesma função.

Produção em massa

Nos anos 50, o coordenador egípcio Mohamed Atalla investigou as propriedades de superfície de semicondutores do silicone em Bell Labs, onde propôs um método novo da fabricação do dispositivo de semicondutor, revestindo uma bolacha de silicone com uma camada de isolamento de óxido de silicone de modo que a eletricidade pudesse confiantemente penetrar ao silicone de condução abaixo, superando os estados de superfície que impediram que a eletricidade alcance a camada semiconducting. Isto é sabido como o passivation de superfície, um método que se torne crítico à indústria do semicondutor como ele faça mais tarde possível a produção em massa de circuitos integrados do silicone.

Transistor de alta frequência

O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.

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China
Marca:
Upperbond
Certificação:
CE, ISO
Model Number:
Maker
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Amostra:
Somente quando carregado
Cor:
Cinza/prata
Customizável:
Positivo
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Minimum Order Quantity:
2 pcs
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Vantagens

Custo, a flexibilidade, e a confiança do transistor o baixo fizeram-lhe um dispositivo ubíquo. Os circuitos mechatronic transistorizados substituíram dispositivos eletromecânicos em dispositivos e na maquinaria de controlo. É frequentemente mais fácil e mais barato usar um microcontrolador padrão e escrever um programa informático para realizar uma função de controle do que para projetar um sistema mecânico equivalente controlar que a mesma função.

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Nos anos 50, o coordenador egípcio Mohamed Atalla investigou as propriedades de superfície de semicondutores do silicone em Bell Labs, onde propôs um método novo da fabricação do dispositivo de semicondutor, revestindo uma bolacha de silicone com uma camada de isolamento de óxido de silicone de modo que a eletricidade pudesse confiantemente penetrar ao silicone de condução abaixo, superando os estados de superfície que impediram que a eletricidade alcance a camada semiconducting. Isto é sabido como o passivation de superfície, um método que se torne crítico à indústria do semicondutor como ele faça mais tarde possível a produção em massa de circuitos integrados do silicone.

Transistor de alta frequência

O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.

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