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Detalhes dos produtos

Created with Pixso. Para casa Created with Pixso. produtos Created with Pixso.
Peças da máquina do cigarro de HLP
Created with Pixso. Através das peças da máquina do cigarro do Mosfet Irfz44ns HLP da versão do furo

Através das peças da máquina do cigarro do Mosfet Irfz44ns HLP da versão do furo

Nome da marca: Upperbond
Número do modelo: Fabricante
MOQ: 2 PCes
preço: Negociável
Tempo de entrega: 5-8 dias
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Certificação:
CE, ISO
Frete:
Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc.
Cor:
Cinza/prata
Outros modelos:
Skoda, CME, Sasib
Transporte do mar:
Com ordens maiores somente
Tipo:
Upperbond
Customizável:
Positivo
Detalhes da embalagem:
Caixa
Habilidade da fonte:
10000 PCes/mês
Destacar:

Transistor das peças da máquina de Cigarettery

,

Transistor das peças da máquina do cigarro de HLP

,

Componentes Irfz44ns da máquina do cigarro

Descrição do produto

Através das peças da máquina do cigarro do Mosfet Irfz44ns HLP da versão do furo

Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

Transistor de alta frequência

O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.

Nomeação

O transistor do termo foi inventado por John R. Pierce como uma contração do transresistance do termo. De acordo com Lillian Hoddeson e Vicki Daitch, os autores de uma biografia de John Bardeen, Shockley tinham proposto que patente dos laboratórios de Bell a primeira para um transistor devesse ser baseada no efeito de campo e que estivesse nomeado como o inventor.

IRFZ44NS/LPbF

Parâmetro Mínimo.
V (BR) DSS Tensão de divisão da Dreno-à-fonte 55
△仏 Tj de V (BR) DSS Temp da tensão de divisão. Coeficiente
RDS (sobre) Em-resistência estática da Dreno-à-fonte
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta 2,0
gts Transcondutância dianteira 19
bss Corrente do escapamento da Dreno-à-fonte
perda Escapamento dianteiro da Porta-à-fonte
Escapamento reverso da Porta-à-fonte
Qg Carga total da porta
Qgs Carga da Porta-à-fonte
Qgd Carga do Porta-à-dreno (“Miller”)
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação
tr Tempo de elevação
TD (fora) Tempo de atraso da volta-Fora
tf Tempo de queda
Ls Indutância interna da fonte
Cjss Capacidade entrada
Coss Capacidade de saída
Crss Capacidade reversa de transferência
Eas Única avalancha Energy® do pulso

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Nome da marca: Upperbond
Número do modelo: Fabricante
MOQ: 2 PCes
preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Caixa
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
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Lugar de origem:
China
Marca:
Upperbond
Certificação:
CE, ISO
Número do modelo:
Fabricante
Frete:
Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc.
Cor:
Cinza/prata
Outros modelos:
Skoda, CME, Sasib
Transporte do mar:
Com ordens maiores somente
Tipo:
Upperbond
Customizável:
Positivo
Quantidade de ordem mínima:
2 PCes
Preço:
Negociável
Detalhes da embalagem:
Caixa
Tempo de entrega:
5-8 dias
Termos de pagamento:
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Habilidade da fonte:
10000 PCes/mês
Destacar:

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,

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,

Componentes Irfz44ns da máquina do cigarro

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Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

Transistor de alta frequência

O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.

Nomeação

O transistor do termo foi inventado por John R. Pierce como uma contração do transresistance do termo. De acordo com Lillian Hoddeson e Vicki Daitch, os autores de uma biografia de John Bardeen, Shockley tinham proposto que patente dos laboratórios de Bell a primeira para um transistor devesse ser baseada no efeito de campo e que estivesse nomeado como o inventor.

IRFZ44NS/LPbF

Parâmetro Mínimo.
V (BR) DSS Tensão de divisão da Dreno-à-fonte 55
△仏 Tj de V (BR) DSS Temp da tensão de divisão. Coeficiente
RDS (sobre) Em-resistência estática da Dreno-à-fonte
VGS (th) Tensão do ponto inicial da porta 2,0
gts Transcondutância dianteira 19
bss Corrente do escapamento da Dreno-à-fonte
perda Escapamento dianteiro da Porta-à-fonte
Escapamento reverso da Porta-à-fonte
Qg Carga total da porta
Qgs Carga da Porta-à-fonte
Qgd Carga do Porta-à-dreno (“Miller”)
TD (sobre) Tempo de atraso de ligação
tr Tempo de elevação
TD (fora) Tempo de atraso da volta-Fora
tf Tempo de queda
Ls Indutância interna da fonte
Cjss Capacidade entrada
Coss Capacidade de saída
Crss Capacidade reversa de transferência
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