Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Fabricante |
Quantidade de ordem mínima: | 2 PCes |
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Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | Caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 dias |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Frete: | Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc. | Cor: | Cinza/prata |
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Outros modelos: | Skoda, CME, Sasib | Transporte do mar: | Com ordens maiores somente |
Tipo: | Upperbond | Customizável: | Positivo |
Realçar: | Transistor das peças da máquina de Cigarettery,Transistor das peças da máquina do cigarro de HLP,Componentes Irfz44ns da máquina do cigarro |
Através das peças da máquina do cigarro do Mosfet Irfz44ns HLP da versão do furo
Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
Transistor de alta frequência
O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.
Nomeação
O transistor do termo foi inventado por John R. Pierce como uma contração do transresistance do termo. De acordo com Lillian Hoddeson e Vicki Daitch, os autores de uma biografia de John Bardeen, Shockley tinham proposto que patente dos laboratórios de Bell a primeira para um transistor devesse ser baseada no efeito de campo e que estivesse nomeado como o inventor.
IRFZ44NS/LPbF
Parâmetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Tensão de divisão da Dreno-à-fonte | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temp da tensão de divisão. Coeficiente | — |
RDS (sobre) | Em-resistência estática da Dreno-à-fonte | — |
VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | 2,0 |
gts | Transcondutância dianteira | 19 |
bss | Corrente do escapamento da Dreno-à-fonte | — |
— | ||
perda | Escapamento dianteiro da Porta-à-fonte | — |
Escapamento reverso da Porta-à-fonte | — | |
Qg | Carga total da porta | — |
Qgs | Carga da Porta-à-fonte | — |
Qgd | Carga do Porta-à-dreno (“Miller”) | — |
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação | — |
tr | Tempo de elevação | — |
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | — |
tf | Tempo de queda | — |
Ls | Indutância interna da fonte | — |
Cjss | Capacidade entrada | — |
Coss | Capacidade de saída | — |
Crss | Capacidade reversa de transferência | — |
Eas | Única avalancha Energy® do pulso | — |
Pessoa de Contato: Kiana
Telefone: +8613824425740
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