Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Fabricante |
Quantidade de ordem mínima: | 2 PCes |
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Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | Caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 dias |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Borda apontada: | Nenhum | Qty. em cada máquina: | 1 |
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Amostra: | Somente quando carregado | Outros modelos: | Skoda, CME, Sasib |
Posição: | Garniture | Transporte do mar: | Com ordens maiores somente |
Realçar: | Peças elétricas do empacotador do cigarro,Rei Size Irfz 44ns do empacotador do cigarro,Peças sobresselentes da substituição do empacotador do cigarro |
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Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
Queda de tensão
A imagem representa um transistor bipolar típico em um circuito. Uma carga fluirá entre o emissor e os terminais de coletor segundo a corrente na base. Porque internamente as conexões da base e do emissor se comportam como um diodo de semicondutor, uma queda de tensão torna-se entre a base e o emissor quando a corrente baixa existir. A quantidade desta tensão depende do material que o transistor é feito de e é referida como VBE.
Importância
Os transistor são os componentes ativos chaves em praticamente toda a eletrônica moderna. Muitos consideram assim o transistor ser uma das grandes invenções do século XX.
A invenção do primeiro transistor em Bell Labs foi nomeada um marco miliário de IEEE em 2009. A lista de marcos miliários de IEEE igualmente inclui as invenções do transistor de junção em 1948 e do MOSFET em 1959.
Produção em massa
Nos anos 50, o coordenador egípcio Mohamed Atalla investigou as propriedades de superfície de semicondutores do silicone em Bell Labs, onde propôs um método novo da fabricação do dispositivo de semicondutor, revestindo uma bolacha de silicone com uma camada de isolamento de óxido de silicone de modo que a eletricidade pudesse confiantemente penetrar ao silicone de condução abaixo, superando os estados de superfície que impediram que a eletricidade alcance a camada semiconducting. Isto é sabido como o passivation de superfície, um método que se torne crítico à indústria do semicondutor como ele faça mais tarde possível a produção em massa de circuitos integrados do silicone.
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