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Detalhes dos produtos

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Passim peças sobresselentes da máquina do cigarro
Created with Pixso. Hauni Protos Kretek Nano que faz a máquina a parte eletrônica Irfz44nl

Hauni Protos Kretek Nano que faz a máquina a parte eletrônica Irfz44nl

Nome da marca: Upperbond
Número do modelo: Fabricante
MOQ: 2 PCes
preço: Negociável
Tempo de entrega: 5-8 dias
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Certificação:
CE, ISO
Customizável:
Positivo
Modelos de máquina:
Protos, passim, MK8, MK9,
Transporte do mar:
Somente com pedidos maiores
Outros modelos:
Skoda, CME, Sasib
Porto de expedição:
Guangzhou, Shanghai
Diâmetro do cigarro:
5.4mm - 8.0mm
Detalhes da embalagem:
caixa
Habilidade da fonte:
10000 PCes/mês
Destacar:

Kretek que faz a máquina Irfz44nl

,

Kretek que faz a máquina as peças eletrônicas

,

Peças eletrônicas da máquina do cigarro

Descrição do produto

Hauni Protos Kretek Nano que faz a máquina a parte eletrônica Irfz44nl

Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

1. Avaliações e características do Fonte-dreno

Parâmetro Tipo Máximo.
É Corrente de fonte contínua (diodo do corpo) 49
Ismo Corrente de fonte pulsada (diodo do corpo)① 160
VsD Tensão dianteira do diodo 1,3
trr Tempo de recuperação reversa 63 95
Qrr Carga reversa da recuperação 170 260

2. Transistor de junção bipolar

Os primeiros transistor de junção bipolar foram inventados por William Shockley dos laboratórios de Bell, que se aplicou para a patente (2.569.347) o 26 de junho de 1948. O 12 de abril de 1950, os químicos Gordon Teal de Bell Labs e Morgan Sparks tinham produzido com sucesso um transistor de amplificação de trabalho do germânio da junção bipolar de NPN.

3. Transistor de alta frequência

O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.

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Hauni Protos Kretek Nano que faz a máquina a parte eletrônica Irfz44nl

Nome da marca: Upperbond
Número do modelo: Fabricante
MOQ: 2 PCes
preço: Negociável
Detalhes da embalagem: caixa
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Marca:
Upperbond
Certificação:
CE, ISO
Número do modelo:
Fabricante
Customizável:
Positivo
Modelos de máquina:
Protos, passim, MK8, MK9,
Transporte do mar:
Somente com pedidos maiores
Outros modelos:
Skoda, CME, Sasib
Porto de expedição:
Guangzhou, Shanghai
Diâmetro do cigarro:
5.4mm - 8.0mm
Quantidade de ordem mínima:
2 PCes
Preço:
Negociável
Detalhes da embalagem:
caixa
Tempo de entrega:
5-8 dias
Termos de pagamento:
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Habilidade da fonte:
10000 PCes/mês
Destacar:

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,

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Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

1. Avaliações e características do Fonte-dreno

Parâmetro Tipo Máximo.
É Corrente de fonte contínua (diodo do corpo) 49
Ismo Corrente de fonte pulsada (diodo do corpo)① 160
VsD Tensão dianteira do diodo 1,3
trr Tempo de recuperação reversa 63 95
Qrr Carga reversa da recuperação 170 260

2. Transistor de junção bipolar

Os primeiros transistor de junção bipolar foram inventados por William Shockley dos laboratórios de Bell, que se aplicou para a patente (2.569.347) o 26 de junho de 1948. O 12 de abril de 1950, os químicos Gordon Teal de Bell Labs e Morgan Sparks tinham produzido com sucesso um transistor de amplificação de trabalho do germânio da junção bipolar de NPN.

3. Transistor de alta frequência

O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.

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