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Peças sobresselentes elétricas da máquina do cigarro de D2 PAK Mosfet Irfz 44ns passim

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Upperbond
Certificação: CE, ISO
Número do modelo: criador
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 2 PCS
Preço: Negotiable
Detalhes da embalagem: Caixa
Tempo de entrega: 5-8 dias
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Habilidade da fonte: 10000 PCes/mês
Contato
Descrição de produto detalhada
Máquina aplicável: Fabricante de cigarro Cor: Cinza/prata
Porto de expedição: Guangzhou, Shanghai Modelos de máquina: Protos, passim, MK8, MK9,
Diâmetro do cigarro: 5.4mm - 8.0mm Circunstância: Brandnew
Realçar:

Fabricante de cigarro Irfz44ns

,

Passim máquina Irfz44ns do cigarro

,

Passim componentes da máquina do cigarro

Peças sobresselentes elétricas da máquina do cigarro de D2 PAK Mosfet Irfz 44ns passim

Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.

Queda de tensão

A imagem representa um transistor bipolar típico em um circuito. Uma carga fluirá entre o emissor e os terminais de coletor segundo a corrente na base. Porque internamente as conexões da base e do emissor se comportam como um diodo de semicondutor, uma queda de tensão torna-se entre a base e o emissor quando a corrente baixa existir. A quantidade desta tensão depende do material que o transistor é feito de e é referida como VBE.

MOSFET

O transistor do efeito de campo do metal-óxido-semicondutor (MOSFET), igualmente conhecido como o transistor do MOS, foi inventado por Mohamed Atalla e por Dawon Kahng em 1959. O MOSFET era o primeiro transistor verdadeiramente compacto que poderia ser miniaturizado e produzido em massa para uma vasta gama de usos. Com sua escalabilidade alta, e consumo de uma potência muito mais baixa e densidade mais alta do que transistor de junção bipolar, o MOSFET tornou possível construir circuitos integrados do alto densidade, permitindo a integração de mais de 10.000 transistor em único IC.

Transistor de alta frequência

O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.

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Contacto
HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

Pessoa de Contato: Kiana

Telefone: +8613824425740

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