Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Fabricante |
Quantidade de ordem mínima: | 2 PCes |
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Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | Caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 dias |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Termos de pagamento: | 50% pagamento à vista | Capacidade: | 800-10.000 cigarros/min |
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Posição: | Garniture | customizável: | Positivo |
Material: | Aço inoxidável tratado | Serviço: | ODM/OEM |
Realçar: | Transistor da máquina Irfz44nl do cigarro,Passim transistor da máquina Irfz44nl do cigarro,Transistor para passim a máquina do cigarro |
As unidades de embalagem de Kretek comutam peças sobresselentes da máquina do cigarro do transistor de Irfz44nl passim
Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
Transistor do silicone
O primeiro transistor de trabalho do silicone foi desenvolvido em Bell Labs o 26 de janeiro de 1954, por Morris Tanenbaum. O primeiro transistor comercial do silicone foi produzido por Texas Instruments em 1954. Este era o trabalho de Gordon Teal, um perito nos cristais crescentes da pureza alta, que tinham trabalhado previamente em Bell Labs.
Vantagens
Custo, a flexibilidade, e a confiança do transistor o baixo fizeram-lhe um dispositivo ubíquo. Os circuitos mechatronic transistorizados substituíram dispositivos eletromecânicos em dispositivos e na maquinaria de controlo. É frequentemente mais fácil e mais barato usar um microcontrolador padrão e escrever um programa informático para realizar uma função de controle do que para projetar um sistema mecânico equivalente a
IRFZ44NS/LPbF
Parâmetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Tensão de divisão da Dreno-à-fonte | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temp da tensão de divisão. Coeficiente | — |
RDS (sobre) | Em-resistência estática da Dreno-à-fonte | — |
VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | 2,0 |
gts | Transcondutância dianteira | 19 |
bss | Corrente do escapamento da Dreno-à-fonte | — |
— | ||
perda | Escapamento dianteiro da Porta-à-fonte | — |
Escapamento reverso da Porta-à-fonte | — | |
Qg | Carga total da porta | — |
Qgs | Carga da Porta-à-fonte | — |
Qgd | Carga do Porta-à-dreno (“Miller”) | — |
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação | — |
tr | Tempo de elevação | — |
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | — |
tf | Tempo de queda | — |
Ls | Indutância interna da fonte | — |
Cjss | Capacidade entrada | — |
Coss | Capacidade de saída | — |
Crss | Capacidade reversa de transferência | — |
Eas | Única avalancha Energy® do pulso | — |
Pessoa de Contato: Winnie
Telefone: +8613763302491
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