Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Fabricante |
Quantidade de ordem mínima: | 2 PCes |
---|---|
Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | Caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 dias |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Material: | De aço inoxidável tratado | Modelos de máquina: | Protos, passim, MK8, MK9, |
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Dureza: | Aumentado extremamente | Outros modelos: | Skoda, CME, Sasib |
Porto de expedição: | Guangzhou, Shanghai | Diâmetro do cigarro: | 5.4mm - 8.0mm |
Realçar: | Transistor da máquina de embalagem do cigarro,Transistor do silicone da máquina do cigarro,Transistor magro do silicone da máquina do cigarro |
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Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
IRFZ44NS/LPbF
Parâmetro | Mínimo. | |
V (BR) DSS | Tensão de divisão da Dreno-à-fonte | 55 |
△仏 Tj de V (BR) DSS | Temp da tensão de divisão. Coeficiente | — |
RDS (sobre) | Em-resistência estática da Dreno-à-fonte | — |
VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | 2,0 |
gts | Transcondutância dianteira | 19 |
bss | Corrente do escapamento da Dreno-à-fonte | — |
— | ||
perda | Escapamento dianteiro da Porta-à-fonte | — |
Escapamento reverso da Porta-à-fonte | — | |
Qg | Carga total da porta | — |
Qgs | Carga da Porta-à-fonte | — |
Qgd | Carga do Porta-à-dreno (“Miller”) | — |
TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação | — |
tr | Tempo de elevação | — |
TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | — |
tf | Tempo de queda | — |
Ls | Indutância interna da fonte | — |
Cjss | Capacidade entrada | — |
Coss | Capacidade de saída | — |
Crss | Capacidade reversa de transferência | — |
Eas | Única avalancha Energy® do pulso | — |
Nomeação
O transistor do termo foi inventado por John R. Pierce como uma contração do transresistance do termo. De acordo com Lillian Hoddeson e Vicki Daitch, os autores de uma biografia de John Bardeen, Shockley tinham proposto que patente dos laboratórios de Bell a primeira para um transistor devesse ser baseada no efeito de campo e que estivesse nomeado como o inventor.
Transistor de alta frequência
O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germânio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germânio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.
Pessoa de Contato: Kiana
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