Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Fabricante |
Quantidade de ordem mínima: | 2 PCes |
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Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | Caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 dias |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Dureza: | Aumentado extremamente | Cortando o material: | Lado do filtro |
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Porto de expedição: | Guangzhou, Shanghai | Material: | De aço inoxidável tratado |
Modelos de máquina: | Protos, passim, MK8, MK9, | Diâmetro do cigarro: | 5.4mm - 8.0mm |
Realçar: | Transistor da máquina Irfz44nl do cigarro,Transistor da unidade da embalagem de Kretek |
As unidades de embalagem brandnew de MK8D Kretek comutam o transistor de Irfz44nl
Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
Transistor do Ponto-contato
Em 1948, o transistor do ponto-contato foi inventado independentemente por físicos alemães Herbert Mataré e Heinrich Welker ao trabalhar no DES Freins e Signaux Westinghouse de Compagnie, uma subsidiária de Westinghouse situada em Paris. Mataré teve a experiência precedente em retificadores de cristal tornando-se do silicone e do germânio no esforço alemão do radar durante a segunda guerra mundial. Usando este conhecimento, começou a pesquisar o fenômeno da “interferência” em 1947.
Material
A maioria de transistor são feitos do silicone muito puro, e de algum do germânio, mas determinados outros materiais do semicondutor são usados às vezes. Um transistor pode ter somente um tipo do portador de carga, em um transistor do efeito de campo, ou pode ter dois tipos dos portador de carga em dispositivos do transistor de junção bipolar.
Avaliações máximas absolutas
Parâmetro | Máximo. | Unidades | |
Identificação @ Tq = 25°C | Corrente contínua do dreno, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | Corrente contínua do dreno, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corrente pulsada do dreno① | 160 | |
@Ta do PALÁDIO = 25°C | Dissipação de poder | 3,8 | W |
Paládio @TC = 25°C | Dissipação de poder | 94 | W |
Fator Derating linear | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tensão da Porta-à-fonte | ±20 | V |
Iar | Corrente da avalancha① | 25 | |
Orelha | Avalancha repetitiva Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recuperação máxima dv/dt do diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Junção de funcionamento e | -55 + a 175 | °C |
Pessoa de Contato: Winnie
Telefone: +8613763302491
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