Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Fabricante |
Quantidade de ordem mínima: | 2 PCes |
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Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | Caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 dias |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Diâmetro do cigarro: | 5.4mm - 8.0mm | Cor: | Cinza/prata |
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Porto de expedição: | Guangzhou, Shanghai | Máquina aplicável: | Fabricante de cigarro |
Modelos de máquina: | Protos, passim, MK8, MK9, | Circunstância: | Brandnew |
Realçar: | Irfz44ns para máquinas de Kretek,Máquina Irfz44ns do cigarro,Transistor da máquina do cigarro MK9 |
Modelo Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns de Molins MK9 para máquinas de Kretek
Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
Avaliações e características do Fonte-dreno
Parâmetro | Tipo | Máximo. | |
É | Corrente de fonte contínua (diodo do corpo) | — | 49 |
Ismo | Corrente de fonte pulsada (diodo do corpo)① | — | 160 |
VsD | Tensão dianteira do diodo | — | 1,3 |
trr | Tempo de recuperação reversa | 63 | 95 |
Qrr | Carga reversa da recuperação | 170 | 260 |
Rádio de transistor do bolso
O primeiro rádio de transistor do bolso do “protótipo” foi mostrado por INTERMETALL (uma empresa fundada por Herbert Mataré em 1952) no Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre o 29 de agosto de 1953 e o 6 de setembro de 1953. O primeiro rádio de transistor do bolso da “produção” era a regência TR-1, liberada em outubro de 1954.
Produção em massa
Nos anos 50, o coordenador egípcio Mohamed Atalla investigou as propriedades de superfície de semicondutores do silicone em Bell Labs, onde propôs um método novo da fabricação do dispositivo de semicondutor, revestindo uma bolacha de silicone com uma camada de isolamento de óxido de silicone de modo que a eletricidade pudesse confiantemente penetrar ao silicone de condução abaixo, superando os estados de superfície que impediram que a eletricidade alcance a camada semiconducting. Isto é sabido como o passivation de superfície, um método que se torne crítico à indústria do semicondutor como ele faça mais tarde possível a produção em massa de circuitos integrados do silicone.
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