Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Fabricante |
Quantidade de ordem mínima: | 2 PCes |
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Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | Caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 dias |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Cor: | Cinza/prata | Tipo: | Upperbond |
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Modelos de máquina: | Protos, passim, MK8, MK9, | Circunstância: | Brandnew |
Porto de expedição: | Guangzhou, Shanghai | Máquina aplicável: | Fabricante de cigarro |
Realçar: | Transistor da máquina de fabricação de cigarros,Mark Cigarette Machine Transistor |
Transistor do fabricante de cigarro da tecnologia de Mark King Size Advanced Process do bebê
Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
Queda de tensão
A imagem representa um transistor bipolar típico em um circuito. Uma carga fluirá entre o emissor e os terminais de coletor segundo a corrente na base. Porque internamente as conexões da base e do emissor se comportam como um diodo de semicondutor, uma queda de tensão torna-se entre a base e o emissor quando a corrente baixa existir. A quantidade desta tensão depende do material que o transistor é feito de e é referida como VBE.
Vantagens
Custo, a flexibilidade, e a confiança do transistor o baixo fizeram-lhe um dispositivo ubíquo. Os circuitos mechatronic transistorizados substituíram dispositivos eletromecânicos em dispositivos e na maquinaria de controlo. É frequentemente mais fácil e mais barato usar um microcontrolador padrão e escrever um programa informático para realizar uma função de controle do que para projetar um sistema mecânico equivalente controlar que a mesma função.
CMOS
O CMOS (MOS complementar) foi inventado por Chih-Tang Sah e por Frank Wanlass no semicondutor de Fairchild em 1963. O primeiro relatório de um MOSFET da flutuar-porta foi feito por Dawon Kahng e por Simon Sze em 1967. Um MOSFET da dobro-porta foi demonstrado primeiramente em 1984 por pesquisadores eletrotécnicos Toshihiro Sekigawa e Yutaka Hayashi do laboratório
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