Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Fabricante |
Quantidade de ordem mínima: | 2 PCes |
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Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 dias |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Outros modelos: | Skoda, CME, Sasib | aplicação: | Aplicando a colagem |
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Tamanho dos cigarros: | Magro/Nano enormes/super | Amostra: | Somente quando carregado |
Dureza: | Aumentado extremamente | Transporte do mar: | Somente com pedidos maiores |
Realçar: | Transistor Nano do silicone,Transistor das peças da máquina do cigarro |
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Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
1. Importância
Os transistor são os componentes ativos chaves em praticamente toda a eletrônica moderna. Muitos consideram assim o transistor ser uma das grandes invenções do século XX.
A invenção do primeiro transistor em Bell Labs foi nomeada um marco miliário de IEEE em 2009. A lista de marcos miliários de IEEE igualmente inclui as invenções do transistor de junção em 1948 e do MOSFET em 1959.
1. CMOS
O CMOS (MOS complementar) foi inventado por Chih-Tang Sah e por Frank Wanlass no semicondutor de Fairchild em 1963. O primeiro relatório de um MOSFET da flutuar-porta foi feito por Dawon Kahng e por Simon Sze em 1967. Um MOSFET da dobro-porta foi demonstrado primeiramente em 1984 por pesquisadores eletrotécnicos Toshihiro Sekigawa e Yutaka Hayashi do laboratório
1. MOSFET
O transistor do efeito de campo do metal-óxido-semicondutor (MOSFET), igualmente conhecido como o transistor do MOS, foi inventado por Mohamed Atalla e por Dawon Kahng em 1959. O MOSFET era o primeiro transistor verdadeiramente compacto que poderia ser miniaturizado e produzido em massa para uma vasta gama de usos. Com sua escalabilidade alta, e consumo de uma potência muito mais baixa e densidade mais alta do que transistor de junção bipolar, o MOSFET tornou possível construir circuitos integrados do alto densidade, permitindo a integração de mais de 10.000 transistor em único IC.
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