Lugar de origem: | China |
Marca: | Upperbond |
Certificação: | CE, ISO |
Número do modelo: | Fabricante |
Quantidade de ordem mínima: | 2 PCes |
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Preço: | Negotiable |
Detalhes da embalagem: | caixa |
Tempo de entrega: | 5-8 dias |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Habilidade da fonte: | 10000 PCes/mês |
Máquina aplicável: | Fabricante de cigarro | Transporte do mar: | Somente com pedidos maiores |
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Amostra: | Somente quando carregado | Borda customizável: | Positivo |
Cor: | Cinza/prata | Termos de pagamento: | pagamento dianteiro de 50% |
Realçar: | Transistor das unidades Irfz44nl da embalagem de Kretek,Transistor do fabricante de cigarro Irfz44nl |
As unidades de embalagem super do rei Size 7.8*100mm Kretek comutam o transistor de Irfz44nl
Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor são um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexão a um circuito externo.
1. Autorrádio do Todo-transistor
O primeiro autorrádio do todo-transistor da “produção” foi desenvolvido por Chrysler e os corporaçõs e de Philco anunciou-se na edição do 28 de abril de 1955 de Wall Street Journal. Chrysler tinha feito o autorrádio do todo-transistor, Mopar 914HR, disponível modelo como uma opção que começa na queda 1955 para sua nova linha de Chrysler 1956 e de carros imperiais que bateu primeiramente os assoalhos da sala de exposições do negócio o 21 de outubro de 1955.
2. Transistor do silicone
O primeiro transistor de trabalho do silicone foi desenvolvido em Bell Labs o 26 de janeiro de 1954, por Morris Tanenbaum. O primeiro transistor comercial do silicone foi produzido por Texas Instruments em 1954. Este era o trabalho de Gordon Teal, um perito nos cristais crescentes da pureza alta, que tinham trabalhado previamente em Bell Labs.
3. Produção em massa
Nos anos 50, o coordenador egípcio Mohamed Atalla investigou as propriedades de superfície de semicondutores do silicone em Bell Labs, onde propôs um método novo da fabricação do dispositivo de semicondutor, revestindo uma bolacha de silicone com uma camada de isolamento de óxido de silicone de modo que a eletricidade pudesse confiantemente penetrar ao silicone de condução abaixo, superando os estados de superfície que impediram que a eletricidade alcance a camada semiconducting. Isto é sabido como o passivation de superfície, um método que se torne crítico à indústria do semicondutor como ele faça mais tarde possível a produção em massa de circuitos integrados do silicone.
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